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| MOS结构衬底电阻率ρ对阈值电压VT动态调制的计算机模拟 | |
| 引用本文： | 李惠军,马瑞芬.MOS结构衬底电阻率ρ对阈值电压VT动态调制的计算机模拟[J].半导体技术,1996(3):22-25. |
| 作者姓名： | 李惠军 马瑞芬 |
| 作者单位： | 山东工业大学，济南半导体总厂，山东工业大学 |
| 摘 要： | 使用ＭＳ－ＰＣ工艺模拟ＣＡＤ系统对绝缘栅Ｐ－ＭＯＳ结构栅氧过程中衬底电阻率ρ与ＭＯＳ结构阈值电压ＶＴ之间的因变关系进行了动态模拟。定量地考查了栅氧层制备过程中杂质的分凝效应对阈值电压ＶＴ的影响。 |
| 关 键 词： | 工艺模拟 场效应 阈值电压 半导体器件 CAD |
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