| 基于铜铝氧化物的透红外导电薄膜 |
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| 引用本文： | 陶飞, 孙维国, 张亮, 王理文, 张磊, 朱旭波, 司俊杰. 基于铜铝氧化物的透红外导电薄膜[J]. 红外技术, 2013, (5): 270-273. |
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| 作者姓名： | 陶飞 孙维国 张亮 王理文 张磊 朱旭波 司俊杰 |
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| 作者单位： | 1.中国空空导弹研究院;2.红外探测器技术航空科技重点实验室 |
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| 摘 要： | 研究了一种新型透红外的导电薄膜铜铝氧化物(CuAlxOy),选用高纯度铜、铝靶材,利用磁控溅射台在蓝宝石衬底上生长CuAlxOy薄膜.研究了氧气流量、薄膜厚度、预溅射铜层时间(铜层厚度)等重要条件对薄膜性能的影响.实验发现,通过微调溅射参数、合理控制预溅射铜层过程可以获得低电阻率和高透过率的铜铝氧化物薄膜.得到最好的CuAlxOy薄膜(厚度为1765?)在波长2.6μm处红外透过率达到了最大值62.5%,红外波段(波数8000~2000 cm-1)的平均透过率达到53%,方块电阻为358.9?/sq,电阻率为6.33×10-3?·cm.
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| 关 键 词： | 铜铝氧化物 导电薄膜 红外透过率 薄膜电阻率 磁控溅射 |
Infrared Transparent Conductive Films Based on CuAl_xO_y |
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| Infrared Transparent Conductive Films Based on CuAlxOy[J]. Infrared Technology , 2013, (5): 270-273. |
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