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IC芯片凸点的制作与可靠性考核
引用本文:况延香. IC芯片凸点的制作与可靠性考核[J]. 电子工艺技术, 1999, 20(6): 217-220
作者姓名:况延香
作者单位:华东微电子技术研究所!安徽合肥230031
摘    要:用多种方法制作了Au凸点、Cu/Au凸点、Ni/Au凸点、Cu/Pb-Sn凸点及C4凸点微型Au凸点直径为10μm,间距30μm高度5~8μm,芯片上微凸点近1000个,还对各种不同的制作方法进行了研究,并对芯片凸点的可靠性进行了一定的考核,效果良好。文中给出一组试验芯片的Cu/Pb-Sn凸点可靠性考核数据:经125℃,1000h电老化,其接触电阻变化范围为0.1%~0.7%,经-55℃~+125

关 键 词:芯片凸点 FCB C4技术 DCA IC

Fabrication and Reliability Trial of IC Chip Bumps
KUANG Yan-xiang. Fabrication and Reliability Trial of IC Chip Bumps[J]. Electronics Process Technology, 1999, 20(6): 217-220
Authors:KUANG Yan-xiang
Abstract:
Keywords:Chip Bump  Flip chip  C4 technology  Direct chip attach
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