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| Ni—Cr衬底上MOCVD法制备YSZ过渡层的研究 | |
| 作者姓名： | 罗乐 叶常青 |
| 作者单位： | [1]中国科学院上海冶金研究所 [2]中国科学院上海有机研究所 |
| 摘 要： | 用ＭＯＣＶＤ方法在柔性金属上衬底上沉积超导膜是潜在的实用高温超导成材方法。用适当方法原位快速地制备有择优取向的防扩散过渡层是其中的关键。本文报导用有机源Ｙ（ｄｐｍ）３和Ｚｒ（ｄｐｍ）４，采用ＭＯＣＶＤ方法在Ｎｉ基合金衬底上沉积了Ｙ稳定的ＺｒＯ２立方相过渡层，厚度约０．５μｍ。文中研究了氧分压和沉积温度对ＹＳＺ结晶和择优取向的影响。结果表明，在生长压力为１３０Ｐａ时，氧分压低至２０Ｐａ，制备出（１１ |
| 关 键 词： | MOCVD法 超导膜 YSZ 过渡层 YBCO 薄膜 |
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