| 离子注入形成YSi2埋层的电镜研究 |
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| 引用本文： | 金星 张泽. 离子注入形成YSi2埋层的电镜研究[J]. 功能材料与器件学报, 1996, 2(4): 256-259 |
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| 作者姓名： | 金星 张泽 |
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| 作者单位： | [1]三束材料改性国家重点联合实验室大连理工大学分部 [2]中国科学院北京电镜实验室 |
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| 摘 要： | 本文主要采用离子注入的方法制备“Ｓｉ／ＹＳｉ２／Ｓｉ”异质结构，并以电子显微镜为手段研究ＹＳｉ２埋层的形成及ＹＳｉ２／Ｓｉ界面的微观结构。我们发现ＹＳｉ２埋层以“［００１］ＹＳｉ２／／［１１１］Ｓｉ”为取向关系在Ｓｉ基体中择优生长，而且注入法合成的ＹＳｉ２不存在空位有序结构。
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| 关 键 词： | 离子注入 硅化物 埋层 电子显微镜 集成电路 |
ION BEAM SYNTHESIS AND TEM STUDIES OF BURIED YSi_2 LAYER |
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| JIN Xing,GONG Zexiang,LI Xiaona,MA Tengcai and YANG Dazhi. ION BEAM SYNTHESIS AND TEM STUDIES OF BURIED YSi_2 LAYER[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 1996, 2(4): 256-259 |
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| Authors: | JIN Xing GONG Zexiang LI Xiaona MA Tengcai YANG Dazhi |
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| Abstract: | Buried yttrium-silicide layer has been formed by ion implantation of Y into silicon(111)wafer and thermal annealing.Transmission electron microscopy shows that a continuous YSi_2 layer is buried on silicon substrate.The orientation relationship between YSi_2 and silicon is determined as[001]YSi_2//[111]Si. Meanwhile, no sign of vacancy ordering was detected from examination of diffraction patterns of all as-implanted and annealed samples. |
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| Keywords: | Ion implantation bried silicide layer electron microscopy |
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