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| InAs自组织生长量子点超晶格的电学性质 | |
| 引用本文： | 陈枫,封松林,杨锡震,王志明,赵谦,温亮生.InAs自组织生长量子点超晶格的电学性质[J].半导体学报,1998,19(6):401-405. |
| 作者姓名： | 陈枫 封松林 杨锡震 王志明 赵谦 温亮生 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 我们利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了一系列ＩｎＡｓ自组织生长的量子点超晶格样品，确认样品中存在体ＧａＡｓ缺陷能级ＥＬ２和ＩｎＡｓ量子点电子基态能级．测得１．７和２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级相对于ＧａＡｓ的导带底分别为１００ｍｅＶ和２１０ｍｅＶ，量子点电子基态的俘获势垒分别为０．４８ｅＶ和０．３０ｅＶ． |
| 关 键 词： | 砷化铟 自组织生长 量子点 电子基态 |
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