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| Ni_3Si的键合及电子结构 | |
| 引用本文： | 徐永年,徐建华.Ni_3Si的键合及电子结构[J].半导体学报,1985,6(3):333-338. |
| 作者姓名： | 徐永年 徐建华 |
| 作者单位： | 复旦大学现代物理研究所 (徐永年)，中国科学院上海冶金所(徐建华) |
| 摘 要： | 用自治LMTO方法算得Ni_3Si化合物的能带结构与LCGO结果符合得相当好;与LCGO结果不同的是:本工作表明离子性对化学键的贡献非常小,在Ni_3Si 中每一Ni原子有10.03个电子,然而,Ni 3d电子却略有减少.Ni 3p电子芯移计算值与Franciosi等实验研究可相比较,表明计算所得电荷转移的大小是合理的. |
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