| 栅控电势磁性隧道结的隧穿磁阻研究 |
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| 引用本文： | 方贺男,陶志阔. 栅控电势磁性隧道结的隧穿磁阻研究[J]. 电子元件与材料, 2015, 0(8): 47-51 |
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| 作者姓名： | 方贺男 陶志阔 |
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| 作者单位： | 南京邮电大学,江苏 南京,210023 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No.61106009)；江苏省自然科学青年基金资助项目(No. BK20130866)；江苏省高校自然科学研究面上项目资助(No.14KJB510020)；南京邮电大学校级科研基金资助项目 |
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| 摘 要： | 基于Slonczewski理论模型和矩阵方法研究了由栅控制中间层电势高度的磁性隧道结的隧穿磁阻效应。数值计算了中间层势垒为0~3 V以及中间层势阱为0~3 V的磁性隧道结的隧穿磁阻随着中间层厚度改变的变化曲线。计算结果表明,当中间层为势垒时,隧穿磁阻随着中间层厚度单调下降;当中间层为势阱时,隧穿磁阻随着中间层厚度振荡,并且相比于势垒情况时明显提高。这说明栅控中间层磁性隧道结相比于传统磁性隧道结具有更好的可控性和提高隧穿磁阻效应的潜力。
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| 关 键 词： | 隧穿磁阻效应 磁性隧道结 栅控中间层 自旋极化输运 自旋电子器件 自旋电子学 |
Tunneling magnetoresistance study of gate-controlled potential magnetic tunneling junctions |
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| FANG Henan,TAO Zhikuo. Tunneling magnetoresistance study of gate-controlled potential magnetic tunneling junctions[J]. Electronic Components & Materials, 2015, 0(8): 47-51 |
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| Authors: | FANG Henan TAO Zhikuo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | tunneling magnetoresistance effect magnetic tunneling junctions gate-controlled interlayer spin-polarized transport spintronic devices spintronics |
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