| 铝阳极氧化技术制作三维铝封装基板 |
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| 引用本文： | 刘凯,王盈莹,王立春.铝阳极氧化技术制作三维铝封装基板[J].电子元件与材料,2015,34(5):19-22. |
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| 作者姓名： | 刘凯 王盈莹 王立春 |
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| 作者单位： | 上海航天电子技术研究所,上海,201109 |
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| 摘 要： | 采用铝阳极氧化技术,制作了含有阵列型铝通柱的10.16 cm(4英寸)直径封装基板。由金相显微镜观察:基板的厚度在300μm左右,铝通柱的表面直径约158μm,内部最大直径约473μm。分析结果表明:图形掩膜边缘存在侧向阳极氧化效应,因而造成铝通柱实际为纺锤体结构。由半导体网络分析仪测得铝通柱和铝栅格地之间的绝缘电阻达到1011Ω;通过矢量网络分析仪反推出基板介质在1 MHz下的相对介电常数为5.97。这种三维铝封装基板制作工艺简单、成本低廉,可用于系统级封装领域。
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| 关 键 词： | 铝封装基板 阳极氧化 铝通柱 栅格地 氧化终点 三维封装 |
Fabrication of three-dimensional aluminum packaging substrate through anodic oxidation technology |
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| LIU Kai,WANG Yingying,WANG Lichun.Fabrication of three-dimensional aluminum packaging substrate through anodic oxidation technology[J].Electronic Components & Materials,2015,34(5):19-22. |
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| Authors: | LIU Kai WANG Yingying WANG Lichun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | aluminum packaging substrate anodic oxidation aluminum through column grid ground terminal of oxidation three-dimensional packaging |
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