| 四配位非晶碳薄膜的研究进展 |
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| 引用本文： | 魏爱香,周友国. 四配位非晶碳薄膜的研究进展[J]. 新型炭材料, 2000, 15(4): 75-79 |
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| 作者姓名： | 魏爱香 周友国 |
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| 作者单位： | 海军广州舰艇学院,广东,广州,510431 |
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| 基金项目： | 广东省自然科学基金!(9945 6 0 ) |
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| 摘 要： | 四配位非碳薄膜是近年来发展的一种新型宽带隙半导体材料，具有独特的物理化学特性，本文对四配位非晶碳薄膜的研究意义，制备方法，形成机理，结构和性能表征及应用前景作较全面的介绍。
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| 关 键 词： | 四配位非晶碳薄膜 制备方法 形成机理 结构 性能 |
REVIEW OF THE TETRAHEDRAL AMORPHOUS CARBON FILM |
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| WEI Ai-xiang,ZHOU You-guo. REVIEW OF THE TETRAHEDRAL AMORPHOUS CARBON FILM[J]. New Carbon Materials, 2000, 15(4): 75-79 |
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| Authors: | WEI Ai-xiang ZHOU You-guo |
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| Abstract: | Tetrahedral amorphous carbon films (ta C) have become a new type of wide band gap amorphous materials because of its valuable physical and chemical properties. In this paper, the deposition process, growth mechanism, basic properties and application of ta C films are reviewed. |
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| Keywords: | Tetrahedral amorphous carbon Deposition process Growth mechanism Structure and properties Application |
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