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| 氕氘在锆膜中的分布 | |
| 作者姓名： | 梁建华 彭述明 龙兴贵 张晓红 张涛 |
| 摘 要： | 电阻蒸发制备的锆膜氢化后,利用二次离子质谱(SIMS)对其进行了深度剖析与成像分析,结果表明氕与氘在锆膜深度分布均匀,在过渡层中呈递减分布,并消失于过渡层与衬底的交界处.锆膜在n(H):n(D)=0.82的气氛中氢化时,会因同位素效应而使氕氘化锆膜中氕的含量高于氘的含量.锆膜表面若有铝、铁、钾以及钠等元素的污染时,会造成表面氕与氘分布不均匀,氕与氘的不均匀分布分别与铝及锆的不均匀分布有关. |
| 关 键 词： | 锆膜 氕 氘 二次离子质谱 深度剖析 成像 |
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