在1微米波长范围内高速高辐射率InGaAsP/InP DH LED的制作和最佳设计

本文介绍了具有单片集成透镜的InGaAsP/InP双异质结(DH)发光管(LED)的制作和设计。这种器件具有高速和高辐射性能。分析了诸如耦合功率、电-光线性度、截止频率等工作特性与LED、光纤结构参数的依从关系,提出了模型,并用于完成最佳设计。现已发现高倍数的透镜能使耦合输出功率和响应速度同时达到最大值。在1.15、1.3、1.5μm波长下做出了与50μm芯径0.2NA梯度折射率光纤相耦合的LED。尤其在截止频率方面得到了明显改善,在1.3μm波长耦合功率(35μW)没有减小的情况下,工作电流100mA的截止频率最大值已达到120MHz。这种二极管的高速大功率性能对高比特率传输系统的应用是很有前途的。