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| 用0．8μm工艺技术设计的65—kb BiCMOS SRAM | |
| 作者姓名： | 董素玲 成立 王振宇 高平 |
| 作者单位： | 江苏大学电气与信息工程学院,江苏,镇江,212013 |
| 基金项目： | 江苏省高校自然科学基金;02KJB510005; |
| 摘 要： | 设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路，提出了采用先进的0．8μm BiCMOS工艺，制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明，所设计的BiCMOS SRAM，其电源电压可低于3V，它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成密度的长处，又获得了双极型(Bipo1ar)电路快速、大电流驱动能力的优点，因此，特别适用于高速缓冲静态存储系统和便携式数字电子设备中。 |
| 关 键 词： | 0.8μm工艺技术 静态随机存取存储器 BiCMOS SRAM 双极互补金属氧化物半导体器件 输入／输出电路 地址译码器 |
| 文章编号： | 1003-353X(2003)06-0044-05 |
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