| 用弱场霍尔效应判断分子束外延Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te/PbTe量子阱能带类型 |
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| 作者姓名： | 史智盛 陈伟立 宋航 杨慧 傅义 金亿鑫 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春物理研究所，中国科学院长春物理研究所，中国科学院长春物理研究所，吉林大学电子科学系，中国科学院长春物理研究所，中国科学院长春物理研究所 吉林，长春 130021，吉林，长春 130021，吉林，长春 130021，吉林，长春 130023，吉林，长春 130021，吉林，长春 130021 |
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| 摘 要： | 对分子束外延(MBE)法在BaF_2衬底上生长的N型Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te/Pb Te多量子阱材料进行了变温(16～300K)弱场霍尔效应测量。通过分析霍尔系数判断Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te/PbTe量子阱能带类型为Ⅰ型。由费密能级的位置估算PbTe导带边高于Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te<111>方向能谷导带边约36meV。
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| 关 键 词： | PbSnTe/PbTe 量子阱 能带类型 分子束外延 |
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