基于谐波抑制技术的高线性CMOS LNA |
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引用本文: | 杨璐,陶波.基于谐波抑制技术的高线性CMOS LNA[J].军民两用技术与产品,2017(15). |
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作者姓名: | 杨璐 陶波 |
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作者单位: | 西安通信学院,西安,710106 |
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摘 要: | 基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种差分低噪声放大器(LNA)。为了改善该放大器的线性度,提出了一种谐波抑制技术。该技术在增益级采用RC反馈网络。该技术的应用可将共栅晶体管漏极的三阶谐波分量反馈回共栅晶体管源级,以抑制LNA输出端口三阶谐波分量的产生。电路仿真结果表明,与传统的LNA相比,改进后的LNA的输入三阶交调点IIP3提高了约4d B,验证了该技术的实用性和可行性。
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关 键 词: | 差分 反馈 谐波抑制 高线性 |
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