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| 宽温区（27—300℃）MOS器件高温特性的模拟 | |
| 引用本文： | 冯耀兰,翟书兵.宽温区（27—300℃）MOS器件高温特性的模拟[J].电子器件,1995,18(4):234-238. |
| 作者姓名： | 冯耀兰 翟书兵 |
| 作者单位： | 东南大学微电子中心 |
| 摘 要： | 本文在研究ＭＯＳ器件高温特性的基础上，介绍了高温区器件模拟的特殊考虑及宽温区ＭＯＳ器件高温特性的模拟。经结果验证，基于ＭＩＮＩＭＯＳ４．０基本算法的高温ＭＯＳ器件模拟软件可模拟２７－３００℃宽温区ＭＯＳ器件的高温特特性，而且模拟和结果基本相符。 |
| 关 键 词： | MOS器件 场效应器件 高温特性 |
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