电子束法制备Znln_2Se_4薄膜及其性质的研究 |
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作者姓名: | 张瑞峰 肖树义 关兴国 |
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作者单位: | 中国科学院长春应用化学研究所,中国科学院长春应用化学研究所,吉林大学半导体系 1981年实习学生 |
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摘 要: | 用电子束加热蒸发法制成0.1—1μ厚的ZnIn_2Se_4薄膜。确定了最佳成膜工艺条件,通过不同气氛的热处理可控制材料的导电类型。典型膜的电阻率是4.35×10~(-1)Ω-cm,Hall迁移率是106cm~2·V~(-1)·S~(-1),载流子浓度是1.36×10~(17)cm~(-3),禁带宽度为2.23eV。讨论了膜的电阻率、透光率随热处理气氛的变化规律,初步探讨了ZnIn_2Se_4膜的导电机理,并对制作n-ZnIn_2Se_4-p-Si光伏器件作了尝试。
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