| 一个适用于短沟HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型 |
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| 引用本文： | 赵要,许铭真,谭长华. 一个适用于短沟HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型[J]. 半导体学报, 2006, 27(7): 1264-1268 |
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| 作者姓名： | 赵要 许铭真 谭长华 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学系，北京 100871;北京大学微电子学系，北京 100871;北京大学微电子学系，北京 100871 |
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| 摘 要： | 对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nMOS器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型.随着沟道尺寸的缩短,源/漏扩展区占据沟道的比例越来越大,源漏扩展区的影响不再可以忽略不计.文中考虑了源/漏扩展区对直接隧穿栅电流的影响,给出了适用于不同HALO掺杂剂量的超薄栅(2～4nm)短沟(0.13～0.25μm)nMOS器件的半经验直接隧穿栅电流模拟表达式.
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| 关 键 词： | MOS器件 HALO结构 直接隧穿电流 源/漏扩展区 HALO 结构 器件 直接隧穿 电流模型 Structure MOSFETs Channel Short Model Gate Current 表达式 模拟 半经验 超薄栅 剂量 掺杂 电流的影响 源漏扩展区 比例 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)07-1264-05 |
| 收稿时间： | 2005-11-15 |
| 修稿时间： | 2006-01-13 |
A New Direct Tunneling Gate Current Model for Short Channel MOSFETs with HALO Structure |
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| Zhao Yao,Xu Mingzhen and Tan Changhua. A New Direct Tunneling Gate Current Model for Short Channel MOSFETs with HALO Structure[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(7): 1264-1268 |
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| Authors: | Zhao Yao Xu Mingzhen Tan Changhua |
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| Affiliation: | Department of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;Department of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;Department of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nMOSFET HALO structure direct tunneling current source/drain extension region |
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