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| SiC衬底上的蓝光半导体激光器 | |
| 引用本文： | 友清.SiC衬底上的蓝光半导体激光器[J].激光与光电子学进展,1998,35(5):17-19. |
| 作者姓名： | 友清 |
| 摘 要： | 日本富士通实验公司已演示了电脉冲氮化镓（GaN）基蓝光半导体激光器的5小时室温运转。该器件做在碳化硅（SIC）衬底上。该激光器的主要特性包括414urn输出对蓝光输出激光器而言．碳化硅（SIC）衬底相对于刚玉有几个优点。由于激光腔反射器可用解理面形成，并且SIC导电．SIC衬底较易制诈波长、3O0us脉冲运转80OmA阈值电流和20mw的最高输出功率。这是SIC衬底上蓝光GaN激光器的第二个成功开发的报导，器件在室温下脉冲运转。第一个成功报导是美国克利研究公司开发的，它的器件寿命较短。研究人员用普通低气压金属无机汽相外延（MOV… |
| 关 键 词： | 碳化硅 半导体激光器 衬底 |
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