| Au／Sn与p—HgCdTe的欧姆接触 |
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| 引用本文： | 胡晓宁,赵军.Au／Sn与p—HgCdTe的欧姆接触[J].红外与毫米波学报,1998,17(5):397-400. |
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| 作者姓名： | 胡晓宁 赵军 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所传感技术重点实验室 |
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| 摘 要： | 研究了双层金属结构Ａｕ／Ｓｎ与ｐ－ＨｇＣｄＴｅ上的接触电阻，实验测得Ａｕ／Ｓｎ与ｐ－Ｈｇ１－ｘＣｄＴｅ（ｘ＝０．２１７，０．４１）的经接触电阻，ρｃ（２９５Ｋ，７７Ｋ）为１０＾－２～１０＾４Ω．ｃｍ＾２将这种电板接触应用于Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２３）光伏器件，测得ｐｎ结Ｉ－Ｖ特性的正向斜率为１２．６Ω即电极接触电阻小于１２．６Ω。
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| 关 键 词： | 欧姆接触 碲镉汞 比接触电阻 金／锡结构 |
OHMIC CONTACT OF Au/Sn ON p HgCdTe |
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| HU Xiao,Ning,ZHAO Jun,GONG Hai,Mei,FANG Jia,Xiong.OHMIC CONTACT OF Au/Sn ON p HgCdTe[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,1998,17(5):397-400. |
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| Authors: | HU Xiao Ning ZHAO Jun GONG Hai Mei FANG Jia Xiong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ohmic contact HgCdTe Au/Sn structure specific contact resistance |
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