以氮化鎵/氮化铝镓超晶格结构优化氮化铟镓LED

氮化镓半导体P型材料掺杂杂困难导致难以制备理想低阻抗P型材料,LED P区特性对其发光效率影响甚大,本研究藉由改善器件P区特性改善发光二极管光电特性,载流子沿超晶格结构垂直向传导时受结构中薄的势垒影响,一部份载流子得以藉由穿遂作用于结构中传导,该种结构具有更好的载子传输能力及低的正相导通电压,而沿结构水平方向则可以通过超晶格量子限制效应与极化效应搭配,多数的载流子被限制于超晶格势阱区,并且透过极化产生能带顷斜将电子空穴进一步分离,该结构具有不同于块材更加优异的垂直传导能力使正相导通电压得以降低,透过较薄的厚度获取更高的出光效率且因其优异的水平传导能力可使薄的P区免于电流踊挤效应使效率下降,研究成功使用P型氮化铝镓/氮化镓超晶格结构改善蓝宝石衬底氮化镓发光二极管之P区特性,透过超晶格结构研究成果成功的透过改变P区载流子传输行为提升LED发光效率。