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| Co-ZnO非匀质磁性半导体的磁光克尔效应研究 | |
| 作者姓名： | 张云鹏 颜世申 陈延学 刘国磊 梅良模 王松有 陈良尧 |
| 作者单位： | 山东大学物理与微电子学院,济南,250100;复旦大学光科学与工程系,上海,200433 |
| 摘 要： | 研究了制备态和退火态Zn1-xCoxO非匀质磁性半导体的极向克尔谱,发现通过调制样品成分和退火处理,可以大幅度调制极向克尔谱.退火后样品的磁光克尔旋转角得到显著增强,克尔角最大值达到0.72°,这是由于退火后样品变成了Co颗粒和Zn1-xCoxO磁性半导体的纳米复合体系. |
| 关 键 词： | 磁光克尔效应 磁性半导体 Zn1-xCoxO 纳米复合体系 |
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