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| 电沉积法制备镉靶 | |
| 引用本文： | 陈玉清,李超,解向前. 电沉积法制备镉靶[J]. 原子能科学技术, 2002, 36(4): 406-408 |
| 作者姓名： | 陈玉清 李超 解向前 |
| 作者单位： | 中国原子能科学研究院,同位素研究所,北京,102413 |
| 摘 要： | 对加速器生产^111In所用镉靶制备工艺进行了研究。通过研究电沉积过程中影响Cd靶质量及厚度的各种因素，确定了最佳工艺条件。所研制的镉靶厚度大于57mg/cm^2，表面光亮、致密、牢固。 |
| 关 键 词： | 制备 镉靶 电沉积 电沉积槽 Cd靶 加速器 |
| 文章编号： | 1000-6931(2002)04/05-0406-03 |
| 修稿时间： | 2001-08-25 |
Preparation of Cadmium Target by Electrodeposition Method |
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