| 单晶Tm2O3高k栅介质漏电流输运机制研究 |
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| 引用本文： | 杨晓峰,谭永胜,方泽波,冀婷,汪建军,陈太红.单晶Tm2O3高k栅介质漏电流输运机制研究[J].功能材料,2012(Z2):318-321. |
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| 作者姓名： | 杨晓峰 谭永胜 方泽波 冀婷 汪建军 陈太红 |
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| 作者单位： | 西华师范大学物理与电子信息学院;绍兴文理学院数理信息学院;复旦大学应用表面物理国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60806031,11004130,51272159);浙江省自然科学基金资助项目(Y6100596);上海市重点基础研究资助项目(10JC1405900) |
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| 摘 要： | 利用分子束外延技术在p型Si(001)衬底上外延生长了单晶Tm2O3高k栅介质薄膜,分别在不同温度下测量了薄膜的电流-电压特性。基于变温电流-电压特性数据的漏电流输运机制分析表明,单晶Tm2O3栅介质薄膜在正偏压下的主要漏电流输运机制为肖特基发射,而在负偏压下的主要漏电流输运机制为Frenkel-Poole发射。
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| 关 键 词： | 单晶Tm2O3薄膜 高k栅介质 肖特基发射 Frenkel-Poole发射 |
Leakage current mechanisms of single-crystalline Tm2O3 high-k gate dielectrics |
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| YANG Xiao-feng,TAN Yong-sheng,FANG Ze-bo,JI Ting,WANG Jian-jun,CHEN Tai-hong.Leakage current mechanisms of single-crystalline Tm2O3 high-k gate dielectrics[J].Journal of Functional Materials,2012(Z2):318-321. |
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| Authors: | YANG Xiao-feng TAN Yong-sheng FANG Ze-bo JI Ting WANG Jian-jun CHEN Tai-hong |
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| Affiliation: | 1(1.College of Physics and Electronic Information,China West Normal University,Nanchong 637002,China; 2.College of Mathematical Information,Shaoxing University,Shaoxing 312000,China; 3.Surface Physics Laboratory(National Key Laboratory),Fudan University,Shanghai 200433,China) |
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