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一种具有反压保护功能的微功耗LDO
引用本文:魏海龙,刘佑宝,廖雪.一种具有反压保护功能的微功耗LDO[J].微电子学与计算机,2013,30(1):77-81.
作者姓名:魏海龙  刘佑宝  廖雪
作者单位:西安微电子技术研究所,陕西西安,710054
摘    要:本文提出并实现了一种具有反压保护功能的微功耗LDO.一方面采用新型自适应栅衬偏置技术,使导通管的栅/衬极在输入输出反压状态下自动跟踪输出电压,从而关断导通管沟道,零偏寄生衬漏体二极管,解决了反压状态下LDO的反灌电流和电路闩锁问题.另一方面,稳压环路中综合采用高效双极缓冲技术和零极点抵消频率补偿技术,既解决了微功耗LDO中的环路稳定困难问题,又使漏失电压最小.该款LDO采用BiCMOS工艺实现.测试结果表明,其反向耐压可达9V;负载调整率和线性调整率分别为0.025 mV/mA和0.6 mV/V;满负载电流(250mA)漏失电压仅为70 mV;空载和重载下静态电流分别只有7μA和7.7 μA.

关 键 词:反压保护  闩锁  低压差稳压器  微功耗  漏失电压

A Micro-Power LDO with Reverse-Voltage Protection
WEI Hai-long,LIU You-bao,LIAO Xue.A Micro-Power LDO with Reverse-Voltage Protection[J].Microelectronics & Computer,2013,30(1):77-81.
Authors:WEI Hai-long  LIU You-bao  LIAO Xue
Affiliation:(Institute of Xi’an Microelectronics,Xi’an 710054,China)
Abstract:
Keywords:
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