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离子注入PIN辐射探测器的测试分析
引用本文:陈鸿飞,邹积清,田大宇,张太平,宁宝俊,张录.离子注入PIN辐射探测器的测试分析[J].核电子学与探测技术,2005,25(5):457-460.
作者姓名:陈鸿飞  邹积清  田大宇  张太平  宁宝俊  张录
作者单位:北京大学,地球与空间科学学院空间物理与应用技术研究所,北京,100871;北京大学,微电子所,北京,100871
基金项目:北京市教委共建项目XK100010404资助
摘    要:利用先进的微电子、微机械加工技术,研制了从300~1000μm共5种厚度的离子注入型PIN辐射探测器,选择其中300、450和1000μm三种规格进行漏电流、噪声水平和能谱分辨率等指标的测试,并与ORTEC探测器相比较。结果表明:北京大学研制的PIN探测器具有当前国际先进水平。在平均25.7℃下,漏电流在14nA左右,噪声水平约为7.4keV,能谱分辨率约为16.9keV。由于噪声水平较ORTEC探测器低,说明还有提高能谱分辨率的余地。

关 键 词:PIN辐射探测器  噪声  分辨率
文章编号:0258-0934(2005)05-0457-04
修稿时间:2004年9月5日

Test analysis of ion-implanted PIN radiation detectors
CHEN Hong-fei,ZOU Ji-qing,TIAN Da-yu,ZHANG Tai-ping,NING Bao-jun,ZHANG Lu.Test analysis of ion-implanted PIN radiation detectors[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,2005,25(5):457-460.
Authors:CHEN Hong-fei  ZOU Ji-qing  TIAN Da-yu  ZHANG Tai-ping  NING Bao-jun  ZHANG Lu
Affiliation:CHEN Hong-fei~1,ZOU Ji-qing~1,TIAN Da-yu~2,ZHANG Tai-ping~2,NING Bao-jun~2,ZHANG Lu~2
Abstract:
Keywords:PIN radiation detector  noise  resolution  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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