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| 表面层半导体陶瓷电容器材料的研制 | |
| 作者姓名： | 郭小渝 刘云书 |
| 作者单位： | 上海无线电一厂(郭小渝)，上海无线电一厂(刘云书) |
| 摘 要： | 在(Ba_(1-x)Nd_(2x/3)□_(x/3))TiO_3系固溶体中(其中Nd也可以是Pr、Dy、Sm、Gd中的一种)添加Mn的氧化物,可制得表面层半导体陶瓷。该陶瓷经适当选择组成,并在合理的条件下加以处理,可制得单位面积容量为0.1～0.27μF/cm~2,击穿电压达500V左右的半导体陶瓷电容器。 |
| 关 键 词： | 表面层 晶界层 氧离子空位型半导体 钙钛矿型固溶体 电中性缺位 |
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