| 新型SCR-LDMOS输出端的静电放电保护结构 |
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| 引用本文： | 习毓, 李德昌, 曲越,.新型SCR-LDMOS输出端的静电放电保护结构[J].电子器件,2007,30(6):2104-2107. |
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| 作者姓名： | 习毓 李德昌 曲越 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071;西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071;西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071 |
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| 摘 要： | 研究了一种新的具有ESD自保护结构的SCR-LDMOS,它是通过在漏极加入P 扩散对传统LDMOS结构的改进.模拟了器件的击穿特性并分析了二次电流It2提高的原因.ISE软件模拟结果表明:该结构具有良好的开启态,二次击穿电流和ESD耐压是传统LDMOS的8.5倍;关闭态有比较高的BVDB可以满足使用的要求.
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| 关 键 词： | LDMOS SCR-LDMOS ESD 二次电流It2 |
| 文章编号： | 1005-9490(2007)06-2104-04 |
| 修稿时间： | 2007年8月30日 |
A Novel SCR-LDMOS ESD Protection Structure of Fan-out |
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| XI Yu,LI De-chang,QU Yue.A Novel SCR-LDMOS ESD Protection Structure of Fan-out[J].Journal of Electron Devices,2007,30(6):2104-2107. |
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| Authors: | XI Yu LI De-chang QU Yue |
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| Affiliation: | School of Technical Physics; Xidian University; Xi an 710071; China |
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| Abstract: | We describe a new ESD protection structure with embedded SCR-LDMOS,by inserting a P diffusion into the drain region,that device can be improved.We simulate the breakdown character of the device and analyze the enhancement reason of enhancement of It2.ISE simulation shows that this structure have a good on-state, It2 and ESD(electrostatic discharge) endurance voltage are 8.5 times higher higher than a conventional LDMOS;off-state display a higher BVDB and it can need to the application. |
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| Keywords: | LDMOS SCR-LDMOS ESD It2 |
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