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Si(111)衬底上3C-SiC的固源MBE异质外延生长
引用本文:刘金锋,刘忠良,王科范,徐彭寿,汤洪高. Si(111)衬底上3C-SiC的固源MBE异质外延生长[J]. 真空科学与技术学报, 2007, 27(1): 5-9
作者姓名:刘金锋  刘忠良  王科范  徐彭寿  汤洪高
作者单位:1. 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029
2. 中国科学技术大学材料系,合肥,230026
基金项目:国家自然科学基金;中国科学院知识创新工程项目
摘    要:国内首次利用固源分子束外延(MBE)技术,在衬底温度为1100℃时,以Si(111)为衬底成功地外延生长出了3C-SiC单晶薄膜。通过X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)以及原位反射高能电子衍射(RHEED)等手段研究了外延薄膜的晶型、结晶质量、外延膜与衬底的外延取向关系,并考察了薄膜制备过程中衬底的碳化对薄膜质量的影响。结果表明,外延膜与衬底晶格取向完全一致;碳化可以减小SiC和衬底Si之间的晶格失配、释放应力、引入成核中心,有利于薄膜单晶质量的提高;碳化温度存在最佳值,这一现象与成核过程有关。

关 键 词:碳化硅  碳化  固源分子束外延  反射高能电子衍射
文章编号:1672-7126(2007)01-005-05
修稿时间:2006-03-13

Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si(111) by Solid Source Molecular Beam Epitaxy
Liu Jinfeng,Liu Zhongliang,Wang Kefan,Xu Pengshou,Tang Honggao. Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si(111) by Solid Source Molecular Beam Epitaxy[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2007, 27(1): 5-9
Authors:Liu Jinfeng  Liu Zhongliang  Wang Kefan  Xu Pengshou  Tang Honggao
Abstract:
Keywords:Silicon carbide(SiC)  Carbonization  Solid source molecular beam epitaxy(ssMBE)  Reflection high energy electron diffraction(RHEED)  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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