| Si(111)衬底上3C-SiC的固源MBE异质外延生长 |
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| 引用本文： | 刘金锋,刘忠良,王科范,徐彭寿,汤洪高.Si(111)衬底上3C-SiC的固源MBE异质外延生长[J].真空科学与技术学报,2007,27(1):5-9. |
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| 作者姓名： | 刘金锋 刘忠良 王科范 徐彭寿 汤洪高 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029
2. 中国科学技术大学材料系,合肥,230026 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 国内首次利用固源分子束外延(MBE)技术,在衬底温度为1100℃时,以Si(111)为衬底成功地外延生长出了3C-SiC单晶薄膜。通过X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)以及原位反射高能电子衍射(RHEED)等手段研究了外延薄膜的晶型、结晶质量、外延膜与衬底的外延取向关系,并考察了薄膜制备过程中衬底的碳化对薄膜质量的影响。结果表明,外延膜与衬底晶格取向完全一致;碳化可以减小SiC和衬底Si之间的晶格失配、释放应力、引入成核中心,有利于薄膜单晶质量的提高;碳化温度存在最佳值,这一现象与成核过程有关。
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| 关 键 词： | 碳化硅 碳化 固源分子束外延 反射高能电子衍射 |
| 文章编号： | 1672-7126（2007）01-005-05 |
| 修稿时间： | 2006-03-13 |
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si(111) by Solid Source Molecular Beam Epitaxy |
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| Liu Jinfeng,Liu Zhongliang,Wang Kefan,Xu Pengshou,Tang Honggao.Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si(111) by Solid Source Molecular Beam Epitaxy[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2007,27(1):5-9. |
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| Authors: | Liu Jinfeng Liu Zhongliang Wang Kefan Xu Pengshou Tang Honggao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Silicon carbide(SiC) Carbonization Solid source molecular beam epitaxy(ssMBE) Reflection high energy electron diffraction(RHEED) |
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