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L波段50W GaAs MESFET
引用本文:孙再吉. L波段50W GaAs MESFET[J]. 固体电子学研究与进展, 1998, 0(2)
作者姓名:孙再吉
摘    要:据日本《NEC技报》1997年第3期报道,NEC公司化合物器件事业部最近新开发了L波段的50W大功率GaAsMESFET。该器件的截面结构如图所示,采用了栅长为1.0μm的WSi肖特基栅,工作于B类推挽电路。该器件的饱和输出功率为537W,1dB增益压缩输出功率为51.3W,线性增益13.1dB,最大漏极效率为57%(频率f=1.5GHz,偏置VDS=10V,IDS=3%IDSS)。该器件作为固态功率放大器(SSPA)用于数字移动电话基地局。L波段50W GaAs MESFET@孙再吉


L波段50W GaAs MESFET
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