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| L波段50W GaAs MESFET | |
| 引用本文： | 孙再吉. L波段50W GaAs MESFET[J]. 固体电子学研究与进展, 1998, 0(2) |
| 作者姓名： | 孙再吉 |
| 摘 要： | 据日本《NEC技报》1997年第3期报道，NEC公司化合物器件事业部最近新开发了L波段的50W大功率GaAsMESFET。该器件的截面结构如图所示，采用了栅长为1．0μm的WSi肖特基栅，工作于B类推挽电路。该器件的饱和输出功率为537W，1dB增益压缩输出功率为51．3W，线性增益13．1dB，最大漏极效率为57％（频率f=1．5GHz，偏置VDS=10V，IDS=3％IDSS）。该器件作为固态功率放大器（SSPA）用于数字移动电话基地局。L波段50W GaAs MESFET@孙再吉 |
L波段50W GaAs MESFET |
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