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MgSe薄膜的相结构研究
引用本文:廖清华,彭学新,熊传兵,刘念华,范广涵,江风益.MgSe薄膜的相结构研究[J].半导体学报,1998,19(11):824-828.
作者姓名:廖清华  彭学新  熊传兵  刘念华  范广涵  江风益
作者单位:南昌大学材料科学研究所
摘    要:我们采用MOCVD外延技术首次在GaAs(100)和(111)衬底上成功地生长了MgSe单层薄膜.利用X射线衍射技术观察到了它的NaCl结构、纤锌矿结构和闪锌矿结构三种相结构,并首次实验测量出了闪锌矿结构MgSe的晶格常数

关 键 词:硒化镁  相结构  半导体薄膜技术
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