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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
MgSe薄膜的相结构研究
作者姓名:
廖清华
彭学新
熊传兵
刘念华
范广涵
江风益
作者单位:
南昌大学材料科学研究所
摘 要:
我们采用MOCVD外延技术首次在GaAs(100)和(111)衬底上成功地生长了MgSe单层薄膜.利用X射线衍射技术观察到了它的NaCl结构、纤锌矿结构和闪锌矿结构三种相结构,并首次实验测量出了闪锌矿结构MgSe的晶格常数
关 键 词:
硒化镁 相结构 半导体薄膜技术
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