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用快速退火形成W5Si3／GaAs肖特基接触

引用本文：	姬成周,李国辉.用快速退火形成W5Si3／GaAs肖特基接触[J].微电子学与计算机,1989,6(3):45-47.

作者姓名：	姬成周李国辉

摘要：
关键词：	集成电路退火 As 肖特基接触
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