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硅元素对钽丝再结晶行为的影响
引用本文:张新明,袁韧,周卓平.硅元素对钽丝再结晶行为的影响[J].中国有色金属学报,2002,12(6):1104-1108.
作者姓名:张新明  袁韧  周卓平
作者单位:中南大学,材料科学与工程学院,长沙,410083
摘    要:采用显微硬度测量、取向分布函数 (ODF)分析及显微组织观察 ,研究了在不同退火温度以及掺硅与未掺硅条件下钽丝的再结晶行为。研究发现 :在 136 0℃退火时掺硅对钽丝的再结晶有阻碍作用 ,晶粒变细 ,丝织构主要由 { 110 }〈0 0 1〉组成 ;当退火温度升高至 15 0 0℃时 ,{ 12 0 }〈0 0 1〉再结晶织构消失 ,在未掺硅钽丝中发现了新的 { 4 41}〈110〉织构组分 ,与初次再结晶织构组分 { 12 0 }〈0 0 1〉之间存在一个近似于 84°〈110〉的转动关系 ,此时 ,掺入硅元素反而促进了再结晶的发展 ,晶粒变得粗大且不均匀。这种现象可以用硅化物的形成与溶解来解释。

关 键 词:钽丝  掺硅  再结晶  织构
文章编号:1004-0609(2002)06-1104-05
修稿时间:2001年12月24

Effect of silicon on recrystallization behavior of tantalum wires during annealing
ZHANG Xin-ming,YUAN Ren,ZHOU Zhuo-ping.Effect of silicon on recrystallization behavior of tantalum wires during annealing[J].The Chinese Journal of Nonferrous Metals,2002,12(6):1104-1108.
Authors:ZHANG Xin-ming  YUAN Ren  ZHOU Zhuo-ping
Abstract:
Keywords:tantalum wires  silicon additives  recrystallization  texture
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