四极SIMS对Al_xGa_(1-x)As中Si的定量分析 |
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引用本文: | 姜志雄,查良镇,王佑祥,陈春华,陈新.四极SIMS对Al_xGa_(1-x)As中Si的定量分析[J].半导体学报,1996,17(6):421-427. |
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作者姓名: | 姜志雄 查良镇 王佑祥 陈春华 陈新 |
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作者单位: | 清华大学电子工程系,中国科学院表面物理实验室,中国科学院半导体研究所 |
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摘 要: | 本文讨论了用MIQ-156四极SIMS仪器对AlxGa(l-x)As中Si进行定量分析的实验方法,考察了测量结果的重复性及x变化时SiRSF的变化规律,在IMS-4fSIMS仪器上进行了对比测试,用Cs+源对(29)Si的原子检测限达到4×10(15)cm(-3).
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