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| 四极SIMS对Al_xGa_（1－x）As中Si的定量分析 | |
| 作者姓名： | 姜志雄 查良镇 王佑祥 陈春华 陈新 |
| 作者单位： | 清华大学电子工程系，中国科学院表面物理实验室，中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 本文讨论了用ＭＩＱ－１５６四极ＳＩＭＳ仪器对ＡｌｘＧａ（ｌ－ｘ）Ａｓ中Ｓｉ进行定量分析的实验方法，考察了测量结果的重复性及ｘ变化时ＳｉＲＳＦ的变化规律，在ＩＭＳ－４ｆＳＩＭＳ仪器上进行了对比测试，用Ｃｓ＋源对（２９）Ｓｉ的原子检测限达到４×１０（１５）ｃｍ（－３）． |
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