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| 无污染进样法分析电子气中的痕量氧 | |
| 引用本文： | 彭永清,李建平.无污染进样法分析电子气中的痕量氧[J].低温与特气,1989(4):56-58. |
| 作者姓名： | 彭永清 李建平 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 电子工业中使用的高纯气体要求含氧量在0.2～0.05ppm。这不仅要求分析方法灵敏度高,而且还要解决外界氧的污染问题。为了避免在分析进样时环境中的氧对样品气的污染,我们在ZAV—2型微氧仪(日本产)上设计安装了无污染进样装置。同时, |
| 关 键 词： | 痕量氧 电子气 无污染进样法 |
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