| SiC半导体材料及其器件应用 |
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| 引用本文： | 杨克武,潘静,杨银堂. SiC半导体材料及其器件应用[J]. 微纳电子技术, 2000, 0(2) |
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| 作者姓名： | 杨克武 潘静 杨银堂 |
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| 作者单位： | 电子十三所!石家庄050051(杨克武，潘静)，西安电子科技大学!西安710071(杨银堂) |
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| 摘 要： | 分析了 Si C材料的结构类型和基本特性 ,介绍了 Si C单晶材料的生长技术及器件工艺技术 ,简要讨论了 Si C器件的主要应用领域和优势。
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| 关 键 词： | SiC单晶材料 工艺 高温半导体器件 短波长发光器件 |
Techniques of SiC Semiconductor Materials and Devices |
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| Yang Kewu,Pan jing. Techniques of SiC Semiconductor Materials and Devices[J]. Micronanoelectronic Technology, 2000, 0(2) |
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| Authors: | Yang Kewu Pan jing |
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| Abstract: | The structure types and properies of SiC are analyzed.The processes for SiC crystal growth and device fabrication are presented.Main application fields are discussed. |
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| Keywords: | SiC crystal materials Process High temperature semiconductor devices Short wavelength light emitting devices |
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