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| C轴取向AIN薄膜的强电特性分析 | |
| 作者姓名： | 刘付德 曲喜新 |
| 作者单位： | 西安交通大学，电子科技大学 |
| 摘 要： | 本文报导了用直流平面磁控溅射法低温生长 C 轴择优取向 A1N 薄膜作介质、并构成Au-A1N-Au 结构的直流电导和击穿特性。用普尔-弗伦凯尔电导理论说明了这种薄膜直流电导的实验结果,并用统计分析方法得出这种薄膜的抗电强度实测平均值为3.4～3.9MV/cm,与理论计算结果相符合。此外,还得到这种薄膜的抗电强度随薄膜厚度的增加而减少的结果。 |
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