| ZnSe薄膜的激子光谱 |
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| 引用本文： | 盛传祥,王兴军,俞根才,黄大鸣.ZnSe薄膜的激子光谱[J].半导体学报,2000,21(12):1177-1182. |
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| 作者姓名： | 盛传祥 王兴军 俞根才 黄大鸣 |
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| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69525408,19874013; |
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| 摘 要： | 采用分子束外延 (MBE)技术 ,在 Ga As(1 0 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 4 5到 1 .4μm的 Zn Se薄膜 .X射线衍射谱证实 ,随着薄膜厚度的增加 ,应变逐步弛豫 .测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱 ,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的分裂、移动和反转 ,以及激子极化激元 (Po-lariton)对反射谱的影响 .也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律 :束缚在中性受主杂质上的束缚激子发光 (I1峰 )随着薄膜厚度的增加逐渐变弱直至消失 ,而束缚在中性施主杂质上的束缚激子发光 (I2 峰 )则随着厚度增加逐渐增强 .
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| 关 键 词： | ZnSe 激子 光致发光 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)12-1177-06 |
| 修稿时间： | 1999年11月14日 |
Excitonic Spectra of ZnSe Thin Films Grown on GaAs Substrates |
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| SHENG Chuan-xiang,WANG Xing-jun,YU Gen-cai and HUANG Da-ming.Excitonic Spectra of ZnSe Thin Films Grown on GaAs Substrates[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(12):1177-1182. |
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| Authors: | SHENG Chuan-xiang WANG Xing-jun YU Gen-cai and HUANG Da-ming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnSe exciton photoluminesce |
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