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Fe催化生长β-SiC纳米分支结构
引用本文:王秋实,吴宛泽,谢永辉,王维龙.Fe催化生长β-SiC纳米分支结构[J].真空科学与技术学报,2018(9).
作者姓名:王秋实  吴宛泽  谢永辉  王维龙
作者单位:渤海大学新能源学院
摘    要:采用直流电弧等离子辅助法合成了β-SiC纳米分支结构。用扫描电镜和透射电镜,X射线电子能谱和拉曼光谱等对样品进行表征,发现分级生长的SiC纳米线为单晶结构,沿111方向生长。β-SiC纳米分支结构通过气-液-固(VSL)机制合成。β-SiC纳米分支结构在425 nm处有一个强的发光峰。

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