| GaAs多芯片多倍频程矢量调制器 |
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| 引用本文： | 戴永胜,陈堂胜,俞土法,刘琳,杨立杰,陈继义,陈效建,林金庭.GaAs多芯片多倍频程矢量调制器[J].固体电子学研究与进展,2001,21(2):239-240. |
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| 作者姓名： | 戴永胜 陈堂胜 俞土法 刘琳 杨立杰 陈继义 陈效建 林金庭 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所, |
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| 摘 要： | 众所周知 ,矢量调制器其相位和幅度均连续可调 ,因此在许多先进的电子系统中 (如空间分集的智能天线系统、移动通信码分多址系统基站中实时控制的超线性功率放大器及雷达系统等 )已广泛应用。采用 Ga As MMIC的矢量调制器 ,由于其体积小、重量轻、开关速度快、几乎无功耗、抗辐射、可靠性高和电性能批量一致性好等显著优点而倍受欢迎。南京电子器件研究所采用 Ga As MMIC多倍频程数字和模拟移相器及低相移 DC～ 5 0 GHz Ga As MMIC压控可变衰减器构成多倍频程矢量调制器 ,获得了较好的结果。在这种多倍频程矢量调制器中 ,根据不同…
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| 关 键 词： | 砷化镓 芯片 多倍频程 矢量调制器 |
| 修稿时间： | 2001年3月6日 |
Multi-octave Vector Modulators with Multi-chip GaAs MMICs |
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