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| FLASH ROM 28F256和29C256的14 MeV中子辐照实验研究 | |
| 引用本文： | 贺朝会,陈晓华,李国政,刘恩科,王燕萍,姬林,耿斌,杨海亮.FLASH ROM 28F256和29C256的14 MeV中子辐照实验研究[J].核电子学与探测技术,2000,20(2):115-119. |
| 作者姓名： | 贺朝会 陈晓华 李国政 刘恩科 王燕萍 姬林 耿斌 杨海亮 |
| 作者单位： | 1. 西北核技术研究所,西安69信箱,西安,710024;西安交通大学微电子工程系,西安,710049 2. 西北核技术研究所,西安69信箱,西安,710024 3. 西安交通大学微电子工程系,西安,710049 |
| 摘 要： | 给出了国内首次FLASH ROM器件的中子辐照效应实验研究结果。发现28F256和29C256器件的14
MeV中子辐照效应不同于以往所认为的单粒子效应,它只有“0”→“1
”错误。错误发生有个中子注量阈值,当中子注量小于某一个值时,无错误;
当中子注量达到一定值时,开始出现错误。随着中子注量的增加,错误数增加,直到所有“0”变为“1”。
动态监测和静态加电的器件都出现硬错误,不能用编程器重新写入数据。错误随读取次数的增加而增加。在相同的中子注量下,不加电的器件无错误,而加电的器件都出现错误,并且出现不确定性错误。 |
| 关 键 词： | FLASH ROM 14 MeV中子 单粒子效应 总剂量效应 |
| 文章编号： | 0258-0934(2000)02-0115-05 |
| 修稿时间： | 1999-11-09 |
Experimental study on 14 MeV neutron irradiation effects in FLASH ROM28F256 and 29C256 |
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| HE Chao-hui,CHEN Xiao-hua,LI Guo-zheng,LIU En-ke,WANG Yan-ping,JI Lin,GENG Bin,YANG Hai-liang.Experimental study on 14 MeV neutron irradiation effects in FLASH ROM28F256 and 29C256[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,2000,20(2):115-119. | |
| Authors: | HE Chao-hui CHEN Xiao-hua LI Guo-zheng LIU En-ke WANG Yan-ping JI Lin GENG Bin YANG Hai-liang |
| Affiliation: | HE Chao-hui,CHEN Xiao-hua,LI Guo-zheng,WANG Yan-ping,JI Lin,GENG Bin,YANG Hai-liang; (Northwest Institute of Nuclear Technology,Xi |
| Abstract: | |
| Keywords: | FLASH ROM 14 MeV neutron single event effect total dose effect |
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