| 辐照条件下光电耦合器的电流传输比模型 |
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| 引用本文： | 李应辉,陈春霞,蒋城,刘永智. 辐照条件下光电耦合器的电流传输比模型[J]. 半导体光电, 2008, 29(2): 158-161 |
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| 作者姓名： | 李应辉 陈春霞 蒋城 刘永智 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054 |
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| 摘 要： | 研究了辐照对光电耦合器各组成部分光电参数影响的机理,建立了光电耦合器在辐照条件下的电流传输比(CTR)模型.研究结果表明,辐照在发光二极管(LED)中引入界面态陷阱,产生非辐射复合,使LED的输出光功率下降;辐照改变了光敏二极管的少数载流子扩散长度,使光照产生的等效载流子数减少,进而使同样光照下的光电流减少;辐照在晶体管基极引入表面态陷阱,使基极复合电流增加,晶体管增益下降,从而使光电耦合器CTR下降.实验结果验证了所得理论模型的正确性.
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| 关 键 词： | 光电耦合器 辐照 电流传输比 |
| 文章编号： | 1001-5868(2008)02-0158-04 |
| 修稿时间： | 2007-11-07 |
Current Transfer Ratio Model of Optocoupler in Radiations |
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| LI Ying-hui,CHEN Chun-xia,JIANG Cheng,LIU Yong-zhi. Current Transfer Ratio Model of Optocoupler in Radiations[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2008, 29(2): 158-161 |
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| Authors: | LI Ying-hui CHEN Chun-xia JIANG Cheng LIU Yong-zhi |
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