| MOSFET的热载流子效应及其表征技术 |
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| 引用本文： | 赵要,胡靖,许铭真,谭长华. MOSFET的热载流子效应及其表征技术[J]. 微电子学, 2003, 33(5): 432-438 |
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| 作者姓名： | 赵要 胡靖 许铭真 谭长华 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家攻关项目基金(G2000-036503) |
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| 摘 要： | 介绍了热载流子引起MOS器件退化的机制及其退化模型、最大应力模式和典型的寿命预测模型等，并对器件退化的表征技术进行了概述。
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| 关 键 词： | MOSFET 热载流子效应 可靠性 表征技术 退化模型 寿命预测 场效应晶体管 |
| 文章编号： | 1004-3365(2003)05-0432-07 |
| 修稿时间： | 2002-09-19 |
HCI Effect of MOSFET''s and Its Characterization Technologies |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Reliability Hot carrier effect MOSFET Life prediction model Characterization technology |
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