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| 日立制作所的256KDRAM(HM5025617,504641) | |
| 引用本文： | 伊藤违 ,李庆文.日立制作所的256KDRAM(HM5025617,504641)[J].微电子学,1985(Z1). |
| 作者姓名： | 伊藤违 李庆文 |
| 摘 要： | 各代动态存储器(DRAM)在电路设计、器件、工艺等方面都要引入一些新技术,集成度大约每三年增长四倍。在256KDAM中,主要采用了失效补救电路、半字节型、设法提高短沟道器件的耐压性能和采用低电阻率的多晶硅化物等项技术措施。 |
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