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| 硅贯通电极带来芯片结构革命 | |
| 作者姓名： | 大石基之 河合基伸 史旻 |
| 作者单位： | 《日经电子》，《日经电子》 记者，记者 |
| 摘 要： | 实现贯通芯片的传输路径可自上而下贯穿整个芯片的硅贯通电极技术将会带来半导体芯片几十年一次的结构革命(见图1)。将布满了电路的半导体晶圆削薄至100μm以下,使背面几乎通透可见,然后在芯片上任意开几个贯通孔,通过电镀的方式形成电极。也有一些半导体厂家采用先形成贯通电极,然后再将晶圆削薄的方法。由于该电极是使用半导体的微加工技术所形成的,因此电极直径非常小,仅有几μm￣几十μm。如果在整个芯片上均打上孔,则可以形成数千甚至数万个贯通电极。硅贯通电极的真正价值主要表现在单个封装内芯片间的相互连接方面(见图2)。将具有贯… |
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