| 用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析 |
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| 引用本文： | 欧海燕,杨沁清,雷红兵,王红杰,余金中,王启明,胡雄伟.用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析[J].半导体学报,2000,21(3):260-263. |
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| 作者姓名： | 欧海燕 杨沁清 雷红兵 王红杰 余金中 王启明 胡雄伟 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室北京 100083,国家光电子工艺中心北京 100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69896260,69889701; |
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| 摘 要： | 用氧化多孔硅的方法来制备厚的 Si O2 成本低 ,省时 .氧化硅膜的厚度 ,表面粗糙度和组分这三个参数 ,对波导器件的性能有重要影响 ,扫描电子显微镜 ( SEM)、原子力显微镜 ( AFM)和俄歇分析得到 :氧化的多孔硅的膜厚已达 2 1 .2μm;表面粗糙度在 1 nm以内 ,Si和 O的组分比为 1∶ 1 .90 6.这些结果表明 ,用氧化多孔硅方法制备的厚 Si O2 膜满足低损耗光波导器件的要求
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| 关 键 词： | 阳极氧化法 厚二氧化硅 硅基二氧化硅光波导器件 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)03-0260-04 |
| 修稿时间： | 1999年1月12日 |
Growth and Microanalysis of Thick Oxidized Porous Silicon |
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| OU Hai\|yan,YANG Qin\|qing,LEI Hong\|bing,WANG Hong\|jie,YU Jin\|zhong and WANG Qi\|ming.Growth and Microanalysis of Thick Oxidized Porous Silicon[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(3):260-263. |
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| Authors: | OU Hai\|yan YANG Qin\|qing LEI Hong\|bing WANG Hong\|jie YU Jin\|zhong and WANG Qi\|ming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Anodization Thick SiO_2 Film Silicon\|Based Optical Waveguide Device |
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