蒸发速率对Si衬底上SSMBE外延SiC薄膜的影响 |
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引用本文: | 刘忠良,刘金锋,任鹏,徐彭寿.蒸发速率对Si衬底上SSMBE外延SiC薄膜的影响[J].真空科学与技术学报,2008,28(4). |
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作者姓名: | 刘忠良 刘金锋 任鹏 徐彭寿 |
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作者单位: | 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029 |
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摘 要: | 采用固源分子束外延(SSMBE)生长技术,用不同的蒸发速率,在Si(111)衬底上生长SiC薄膜。利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等实验技术,对生长的样品的形貌和结构进行研究。结果表明,在优化的蒸发速率(1.0 nm·min^-1)下,所生长的薄膜质量最好。低的蒸发速率(0.25 nm·min^-1)难以抑制孔洞的形成,衬底的Si原子可通过这些孔洞扩散到样品表面,导致结晶质量变差。在高的蒸发速率(1.8 nm·min^-1)下,以岛状方式生长甚至以团簇聚集,表面的原子难以迁移到最佳取向的平衡位置,导致样品表面粗糙度变大,薄膜的结晶质量变差,甚至出现多晶。
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关 键 词: | 蒸发速率 碳化硅 硅衬底 固源分子束外延 |
Effect of Different Deposition Rates on the Growth of SiC on Si by SSMBE |
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Abstract: | |
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