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基于薄膜SOI的PDP高压寻址驱动集成电路
引用本文:王卓,刘新新,乔明,张波,李肇基.基于薄膜SOI的PDP高压寻址驱动集成电路[J].微电子学,2009,39(4).
作者姓名:王卓  刘新新  乔明  张波  李肇基
作者单位:电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
基金项目:"十一五"预研项目资助,电子科技大学校青年基金资助项目 
摘    要:基于自主开发的薄膜SOI高低压兼容工艺,研制出一种64位输出的薄膜SOI PDP高压寻址驱动集成电路.测试结果显示,该电路具有80 V驱动电压和20 mA输出电流,电路时钟频率大于40 MHz.

关 键 词:薄膜  等离子显示板  寻址驱动电路

High Voltage PDP Data Driver IC Based on Thin Layer SOI
WANG Zhuo,LIU Xinxin,QIAO Ming,ZHANG Bo,LI Zhaoji.High Voltage PDP Data Driver IC Based on Thin Layer SOI[J].Microelectronics,2009,39(4).
Authors:WANG Zhuo  LIU Xinxin  QIAO Ming  ZHANG Bo  LI Zhaoji
Affiliation:State Key Lab of Elec.Thin Films and Integr.Dev.;Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China;Chengdu 610054;P.R.China
Abstract:A 64-bit PDP data driver circuit based on thin layer SOI was developed successfully.Test results showed that the circuit had a driving voltage up to 80 V and a maximum output current of 20 mA,with a clock frequency over 40 MHz.
Keywords:SOI
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